GeneSiC Semiconductor - 1N1188A

KEY Part #: K6425039

Detailní popis:: DIODE GEN PURP 400V 40A DO5. Rectifiers 400V 40A Std. Recovery

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor 1N1188A. 1N1188A může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N1188A, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : 1N1188A

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE GEN PURP 400V 40A DO5

Série : -

Stav části : Active

Typ diod : Standard

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 400V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 40A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 40A

Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : -

Proud - reverzní únik @ Vr : 10µA @ 50V

Kapacita @ Vr, F : -

Typ montáže : Chassis, Stud Mount

Balíček / Případ : DO-203AB, DO-5, Stud

Balík zařízení pro dodavatele : DO-5

Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 200°C

Můžete se také zajímat

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.