Výrobce :
ON Semiconductor
Popis :
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
900V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
11.4A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
960 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
94nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 25V
Ztráta výkonu (Max) :
300W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-3P
Balíček / Případ :
TO-3P-3, SC-65-3