Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole
  5. ALD110902SAL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD110902SAL

KEY Part #: K6522685

ALD110902SAL Ceny (USD) [24938ks skladem]

  • 1 pcs$1.47194
  • 10 pcs$1.32959
  • 100 pcs$1.01381
  • 500 pcs$0.78850
  • 1,000 pcs$0.65333
Číslo dílu:
ALD110902SAL
Výrobce:
Advanced Linear Devices Inc.
Detailní popis:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Zener - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Tranzistory - JFETy ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Advanced Linear Devices Inc. ALD110902SAL. ALD110902SAL může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na ALD110902SAL, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD110902SAL Vlastnosti produktu

Číslo dílu : ALD110902SAL
Výrobce : Advanced Linear Devices Inc.
Popis : MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Série : EPAD®
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 10.6V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 4.2V
Vgs (th) (Max) @ Id : 220mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Výkon - Max : 500mW
Provozní teplota : 0°C ~ 70°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zařízení pro dodavatele : 8-SOIC

Poslední zprávy

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
Můžete se také zajímat
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

Horké díly