Microsemi Corporation - APTGT200TL60G

KEY Part #: K6532502

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTGT200TL60G. APTGT200TL60G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTGT200TL60G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : APTGT200TL60G

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6

Série : -

Stav části : Active

Typ IGBT : Trench Field Stop

Konfigurace : Three Level Inverter

Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V

Proud - kolektor (Ic) (Max) : 300A

Výkon - Max : 652W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A

Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 350µA

Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 12.2nF @ 25V

Vstup : Standard

Termistor NTC : No

Provozní teplota : -40°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže : Chassis Mount

Balíček / Případ : SP6

Balík zařízení pro dodavatele : SP6

Můžete se také zajímat

VS-ENQ030L120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology
VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.
CPV362M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.
A2C35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.
A2C25S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.
A1P35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.