IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3556SA166BQ

KEY Part #: K936903

71V3556SA166BQ Ceny (USD) [15360ks skladem]

  • 1 pcs$2.99829
  • 136 pcs$2.98338

Číslo dílu:
71V3556SA166BQ
Výrobce:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Detailní popis:
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA. SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: PMIC - Tepelné řízení, Sběr dat - analogový přední konec (AFE), PMIC - měření spotřeby energie, Sběr dat - digitální potenciometry, Paměť - baterie, PMIC - regulátory napětí - DC DC přepínací řadiče, Vestavěné - FPGA (Field Programmable Gate Array) and IC čipy ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA166BQ. 71V3556SA166BQ může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 71V3556SA166BQ, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V3556SA166BQ Vlastnosti produktu

Číslo dílu : 71V3556SA166BQ
Výrobce : IDT, Integrated Device Technology Inc
Popis : IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
Série : -
Stav části : Active
Typ paměti : Volatile
Formát paměti : SRAM
Technologie : SRAM - Synchronous ZBT
Velikost paměti : 4.5Mb (128K x 36)
Frekvence hodin : 166MHz
Čas zápisu - slovo, strana : -
Čas přístupu : 3.5ns
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 3.135V ~ 3.465V
Provozní teplota : 0°C ~ 70°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 165-TBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 165-CABGA (13x15)
Můžete se také zajímat
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16