1N4150W-HE3-18 Ceny (USD) [2750629ks skladem]
- 1 pcs$0.01419
- 10,000 pcs$0.01412
- Číslo dílu:
- 1N4150W-HE3-18
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Zener - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - TRIAC, Diody - Zener - pole and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-18. 1N4150W-HE3-18 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N4150W-HE3-18, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
1N4150W-HE3-18 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
1N4150W-HE3-18
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
50V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
200mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100nA @ 50V
Kapacita @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
SOD-123
Balík zařízení pro dodavatele :
SOD-123
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Horké díly
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G