NSR10F20NXT5G Ceny (USD) [804485ks skladem]
- 1 pcs$0.04852
- 5,000 pcs$0.04827
- Číslo dílu:
- NSR10F20NXT5G
- Výrobce:
- ON Semiconductor
- Detailní popis:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A 2DSN. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diodes 20V 1A
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - speciální účel, Diody - Zener - pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor NSR10F20NXT5G. NSR10F20NXT5G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na NSR10F20NXT5G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
NSR10F20NXT5G Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
NSR10F20NXT5G
Výrobce :
ON Semiconductor
Popis :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A 2DSN
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
20V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
450mV @ 1A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
-
Proud - reverzní únik @ Vr :
100µA @ 20V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
0502 (1406 Metric)
Balík zařízení pro dodavatele :
2-DSN (1.4x0.6)
Provozní teplota - křižovatka :
150°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
-
GI751-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM
-
GL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Horké díly
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G