ON Semiconductor - RFD16N06LESM9A

KEY Part #: K6415786

RFD16N06LESM9A Ceny (USD) [140777ks skladem]

  • 1 pcs$0.26274
  • 2,500 pcs$0.25289

Číslo dílu:
RFD16N06LESM9A
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor RFD16N06LESM9A. RFD16N06LESM9A může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RFD16N06LESM9A, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFD16N06LESM9A Vlastnosti produktu

Číslo dílu : RFD16N06LESM9A
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 90W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : TO-252AA
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63