Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - Usměrňovače - Single
  5. JANTXV1N5552US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5552US

KEY Part #: K6433541

JANTXV1N5552US Ceny (USD) [4931ks skladem]

  • 1 pcs$8.82883
  • 100 pcs$8.78491
Číslo dílu:
JANTXV1N5552US
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 3A 600V STANDARD RECT - SQ END CAPS
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - SCR, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JANTXV1N5552US. JANTXV1N5552US může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JANTXV1N5552US, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5552US Vlastnosti produktu

Číslo dílu : JANTXV1N5552US
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
Série : Military, MIL-PRF-19500/420
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 3A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 2µs
Proud - reverzní únik @ Vr : 1µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : SQ-MELF, B
Balík zařízení pro dodavatele : D-5B
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Poslední zprávy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Můžete se také zajímat
  • VS-1N3624

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA. Rectifiers 1000 Volt 16 Amp 400 Amp IFSM

  • V2FM15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A150VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS2FL4-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 2A Vrrm 40V Ifsm 50A DO-219AB

  • SS2FH10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 50A

  • SS2FN6HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vrrm 2A IF(AV) AEC-Q101 Qualified

  • V2F6-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A60VSMFTRENCH SKY RECT..

Horké díly