NXP USA Inc. - BUK9E6R1-100E,127

KEY Part #: K6400026

[3540ks skladem]


    Číslo dílu:
    BUK9E6R1-100E,127
    Výrobce:
    NXP USA Inc.
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Tyristory - TRIAC, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Diody - Zener - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky NXP USA Inc. BUK9E6R1-100E,127. BUK9E6R1-100E,127 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BUK9E6R1-100E,127, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK9E6R1-100E,127 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : BUK9E6R1-100E,127
    Výrobce : NXP USA Inc.
    Popis : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
    Série : TrenchMOS™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 100V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±10V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 17460pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 349W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balík zařízení pro dodavatele : I2PAK
    Balíček / Případ : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Můžete se také zajímat
    • DN2535N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

    • VP2206N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

    • VN0106N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • R6006ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM.

    • IRLI3705NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP.