Micron Technology Inc. - EDB5432BEPA-1DIT-F-R

KEY Part #: K915922

[11303ks skladem]


    Číslo dílu:
    EDB5432BEPA-1DIT-F-R
    Výrobce:
    Micron Technology Inc.
    Detailní popis:
    IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Hodiny / časování - zpoždění vedení, Lineární zesilovače - Video zesilovače a moduly, PMIC - Plné, Half-Bridge ovladače, PMIC - regulátory napětí - DC DC přepínací řadiče, PMIC - regulátory napětí - DC DC přepínací regulát, Hodiny / Načasování - Hodiny v reálném čase, Sběr dat - digitální potenciometry and Ovladače PMIC - Display Drivers ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Micron Technology Inc. EDB5432BEPA-1DIT-F-R. EDB5432BEPA-1DIT-F-R může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na EDB5432BEPA-1DIT-F-R, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EDB5432BEPA-1DIT-F-R Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : EDB5432BEPA-1DIT-F-R
    Výrobce : Micron Technology Inc.
    Popis : IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ paměti : Volatile
    Formát paměti : DRAM
    Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
    Velikost paměti : 512Mb (16M x 32)
    Frekvence hodin : 533MHz
    Čas zápisu - slovo, strana : -
    Čas přístupu : -
    Paměťové rozhraní : Parallel
    Napětí - napájení : 1.14V ~ 1.95V
    Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TC)
    Typ montáže : -
    Balíček / Případ : -
    Balík zařízení pro dodavatele : -

    Můžete se také zajímat
    • IS61LPD51236A-250B3LI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

    • W25Q257FVFIG

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • W25Q257FVFIG TR

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • MT41K512M16HA-107 IT:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

    • MT41K512M16HA-107G:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

    • MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

      Micron Technology Inc.

      IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ.