Microsemi Corporation - JANS1N4099-1

KEY Part #: K6479699

JANS1N4099-1 Ceny (USD) [789ks skladem]

  • 1 pcs$56.25818

Číslo dílu:
JANS1N4099-1
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Zener - Single, Diody - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JANS1N4099-1. JANS1N4099-1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JANS1N4099-1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N4099-1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : JANS1N4099-1
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
Série : Military, MIL-PRF-19500/435
Stav části : Active
Napětí - Zener (Nom) (Vz) : 6.8V
Tolerance : ±5%
Výkon - Max : 500mW
Impedance (Max) (Zzt) : 200 Ohms
Proud - reverzní únik @ Vr : 1µA @ 5.2V
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200mA
Provozní teplota : -65°C ~ 175°C
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : DO-204AH, DO-35, Axial
Balík zařízení pro dodavatele : DO-35

Můžete se také zajímat
  • BAR43C

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array