ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61LV25616AL-10TI-TR

KEY Part #: K939314

Detailní popis:: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: PMIC - AC DC měniče, Offline přepínače, Logika - žabky, Převodníky PMIC - V / F a F / V, Rozhraní - kodéry, dekodéry, převodníky, PMIC - regulátory napětí - lineární, Vestavěné mikrokontroléry, Ovladače PMIC - Display Drivers and PMIC - laserové ovladače ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10TI-TR. IS61LV25616AL-10TI-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS61LV25616AL-10TI-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : IS61LV25616AL-10TI-TR

Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Popis : IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Série : -

Stav části : Not For New Designs

Typ paměti : Volatile

Formát paměti : SRAM

Technologie : SRAM - Asynchronous

Velikost paměti : 4Mb (256K x 16)

Frekvence hodin : -

Čas zápisu - slovo, strana : 10ns

Čas přístupu : 10ns

Paměťové rozhraní : Parallel

Napětí - napájení : 3.135V ~ 3.6V

Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Balík zařízení pro dodavatele : 44-TSOP II

Můžete se také zajímat

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.