Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF
  5. IXZR08N120B-00

IXYS-RF - IXZR08N120B-00

KEY Part #: K6466421

IXZR08N120B-00 Ceny (USD) [3045ks skladem]

  • 1 pcs$18.80535
  • 10 pcs$17.39506
  • 100 pcs$14.85622
Číslo dílu:
IXZR08N120B-00
Výrobce:
IXYS-RF
Detailní popis:
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Diody - Zener - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky IXYS-RF IXZR08N120B-00. IXZR08N120B-00 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IXZR08N120B-00, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXZR08N120B-00 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IXZR08N120B-00
Výrobce : IXYS-RF
Popis : RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
Série : Z-MOS™
Stav části : Active
Typ tranzistoru : N-Channel
Frekvence : 65MHz
Získat : 23dB
Napětí - Test : 100V
Současné hodnocení : 8A
Obrázek č : -
Proud - Test : -
Napájení - výstup : 250W
Napětí - Jmenovité : 1200V
Balíček / Případ : TO-247-3
Balík zařízení pro dodavatele : PLUS247™-3

Poslední zprávy

Guerrilla RF Linear Noise Amplifiers
Guerrilla RF GRF4042 Low Noise Amplifier with Low Bypass
Můžete se také zajímat
  • 2SK3079ATE12LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSF RF N CH 10V PW-X.

  • 3SK293(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 800MHZ USQ.

  • 3SK294(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 500MHZ USQ.

  • 3SK291(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH SMQ.

  • 3SK292(TE85R,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ.

  • STAC3932F

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH STAC244F.

Horké díly