Global Power Technologies Group - GP2M002A065HG

KEY Part #: K6402666

[2625ks skladem]


    Číslo dílu:
    GP2M002A065HG
    Výrobce:
    Global Power Technologies Group
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - SCR, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole and Tranzistory - JFETy ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Global Power Technologies Group GP2M002A065HG. GP2M002A065HG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GP2M002A065HG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP2M002A065HG Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : GP2M002A065HG
    Výrobce : Global Power Technologies Group
    Popis : MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 650V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 353pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 52W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balík zařízení pro dodavatele : TO-220
    Balíček / Případ : TO-220-3

    Můžete se také zajímat
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.