LL4151-GS18 Ceny (USD) [3993228ks skladem]
- 1 pcs$0.00926
- 10,000 pcs$0.00872
- Číslo dílu:
- LL4151-GS18
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 50mA 2.0 Amp IFSM
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - TRIAC, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays and Diody - Zener - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division LL4151-GS18. LL4151-GS18 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na LL4151-GS18, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
LL4151-GS18 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
LL4151-GS18
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80
Série :
Automotive, AEC-Q101
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
50V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
300mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1V @ 50mA
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
50nA @ 50V
Kapacita @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Balík zařízení pro dodavatele :
SOD-80 MiniMELF
Provozní teplota - křižovatka :
175°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54