Microsemi Corporation - APT29F100B2

KEY Part #: K6397858

APT29F100B2 Ceny (USD) [4640ks skladem]

  • 1 pcs$10.27136
  • 10 pcs$9.33596
  • 100 pcs$7.54853

Číslo dílu:
APT29F100B2
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - TRIAC, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - speciální účel and Moduly ovladače napájení ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT29F100B2. APT29F100B2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT29F100B2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT29F100B2 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APT29F100B2
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Série : POWER MOS 8™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1000V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 1040W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : T-MAX™ [B2]
Balíček / Případ : TO-247-3 Variant

Můžete se také zajímat
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.