Infineon Technologies - BSC009NE2LS5ATMA1

KEY Part #: K6419440

BSC009NE2LS5ATMA1 Ceny (USD) [112253ks skladem]

  • 1 pcs$0.32950
  • 5,000 pcs$0.31796

Číslo dílu:
BSC009NE2LS5ATMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - speciální účel and Diody - usměrňovače - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies BSC009NE2LS5ATMA1. BSC009NE2LS5ATMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BSC009NE2LS5ATMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC009NE2LS5ATMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BSC009NE2LS5ATMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
Série : OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 25V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 41A (Ta), 100A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 12V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TDSON-8
Balíček / Případ : 8-PowerTDFN

Můžete se také zajímat