Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - usměrňovače - pole
  5. CDBGBSC201200-G

Comchip Technology - CDBGBSC201200-G

KEY Part #: K6470411

CDBGBSC201200-G Ceny (USD) [6888ks skladem]

  • 1 pcs$5.98205
Číslo dílu:
CDBGBSC201200-G
Výrobce:
Comchip Technology
Detailní popis:
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER. Schottky Diodes & Rectifiers DUAL SiC POWER SCHOTTKY 20A 1200V
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - RF, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Zener - pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - JFETy ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Comchip Technology CDBGBSC201200-G. CDBGBSC201200-G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na CDBGBSC201200-G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBGBSC201200-G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : CDBGBSC201200-G
Výrobce : Comchip Technology
Popis : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Série : -
Stav části : Active
Konfigurace diod : 1 Pair Common Cathode
Typ diod : Silicon Carbide Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 1200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) (na diodu) : 25.9A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 100µA @ 1200V
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : TO-247-3
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247

Poslední zprávy

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Můžete se také zajímat
  • MBR20100CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220.

  • MBR2040CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V, 20A

  • MBR20150CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY RECT 20A 150V

  • MBR2030CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30V, 20A

  • 1SS309(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 85V, 200mW

  • 1SS308(TE85L,F

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode

Horké díly