Microsemi Corporation - APT11N80BC3G

KEY Part #: K6395057

APT11N80BC3G Ceny (USD) [15456ks skladem]

  • 1 pcs$2.93506
  • 10 pcs$2.62084
  • 100 pcs$2.14894
  • 500 pcs$1.74012
  • 1,000 pcs$1.46758

Číslo dílu:
APT11N80BC3G
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - Zener - pole, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single and Tyristory - SCR ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT11N80BC3G. APT11N80BC3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT11N80BC3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT11N80BC3G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APT11N80BC3G
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 800V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 680µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1585pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 156W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247 [B]
Balíček / Případ : TO-247-3