IXYS - IXFH24N80P

KEY Part #: K6397443

IXFH24N80P Ceny (USD) [10651ks skladem]

  • 1 pcs$4.25275
  • 10 pcs$3.82836
  • 100 pcs$3.14788
  • 500 pcs$2.63740

Číslo dílu:
IXFH24N80P
Výrobce:
IXYS
Detailní popis:
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Diody - Zener - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky IXYS IXFH24N80P. IXFH24N80P může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IXFH24N80P, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH24N80P Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IXFH24N80P
Výrobce : IXYS
Popis : MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
Série : HiPerFET™, PolarHT™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 800V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 650W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247AD (IXFH)
Balíček / Případ : TO-247-3