Vishay Siliconix - SI3446ADV-T1-GE3

KEY Part #: K6406171

[1411ks skladem]


    Číslo dílu:
    SI3446ADV-T1-GE3
    Výrobce:
    Vishay Siliconix
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Moduly ovladače napájení, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - JFETy, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - TRIAC and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SI3446ADV-T1-GE3. SI3446ADV-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SI3446ADV-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3446ADV-T1-GE3 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : SI3446ADV-T1-GE3
    Výrobce : Vishay Siliconix
    Popis : MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
    Série : TrenchFET®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 5.8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±12V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 10V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 2W (Ta), 3.2W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : 6-TSOP
    Balíček / Případ : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6