Vishay Siliconix - SI5433BDC-T1-GE3

KEY Part #: K6406394

[1334ks skladem]


    Číslo dílu:
    SI5433BDC-T1-GE3
    Výrobce:
    Vishay Siliconix
    Detailní popis:
    MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Zener - pole, Moduly ovladače napájení and Tyristory - TRIAC ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SI5433BDC-T1-GE3. SI5433BDC-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SI5433BDC-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5433BDC-T1-GE3 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : SI5433BDC-T1-GE3
    Výrobce : Vishay Siliconix
    Popis : MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
    Série : TrenchFET®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 4.8A (Ta)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 4.8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 1.3W (Ta)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : 1206-8 ChipFET™
    Balíček / Případ : 8-SMD, Flat Lead