Diodes Incorporated - ZXMN6A07FTA

KEY Part #: K6419828

ZXMN6A07FTA Ceny (USD) [490925ks skladem]

  • 1 pcs$0.07534
  • 3,000 pcs$0.06719

Číslo dílu:
ZXMN6A07FTA
Výrobce:
Diodes Incorporated
Detailní popis:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tyristory - TRIAC, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Diodes Incorporated ZXMN6A07FTA. ZXMN6A07FTA může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na ZXMN6A07FTA, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A07FTA Vlastnosti produktu

Číslo dílu : ZXMN6A07FTA
Výrobce : Diodes Incorporated
Popis : MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 166pF @ 40V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 625mW (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-23-3
Balíček / Případ : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Můžete se také zajímat