Vishay Siliconix - SI3983DV-T1-GE3

KEY Part #: K6524054

[3960ks skladem]


    Číslo dílu:
    SI3983DV-T1-GE3
    Výrobce:
    Vishay Siliconix
    Detailní popis:
    MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - RF, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - SCR - Moduly, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SI3983DV-T1-GE3. SI3983DV-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SI3983DV-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3983DV-T1-GE3 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : SI3983DV-T1-GE3
    Výrobce : Vishay Siliconix
    Popis : MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
    Série : TrenchFET®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : 2 P-Channel (Dual)
    Funkce FET : Logic Level Gate
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 2.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Výkon - Max : 830mW
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balíček / Případ : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Balík zařízení pro dodavatele : 6-TSOP